概述

本章STM32CUBEMX配置STM32F103，并且在GD32F303中进行开发，同时通过开发板内进行验证。 本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6进行移植，512K大小的Flash。 需要样片的可以加Qun申请：615061293。

csdn课程

课程更加详细。 /course/detail/37152

样品申请

/vm/

(相关资料图)

视频教学

/video/BV1aM411T7Jh/

生成例程

这里准备了自己绘制的开发板进行验证。 

配置时钟树，配置时钟为64M。 

查看原理图，PA9和PA10设置为开发板的串口。 

配置串口。 

串口重定向

在中，添加头文件，若不添加会出现 identifier "FILE" is undefined报错。

函数声明和串口重定向：

FLASH定义

对于STM32F103，有低、钟、高密度的FLASH类型。 

低密度

中密度

高密度

对于STM32F103ZE,FLASH大小为512KB，固为高密度的Flash。

变量定义

如果要对FLASH进行写入数据，需要执行以下四步：

解锁FLASH

擦除FLASH

写入FLASH

锁住FLASH

擦除只能是按页或者整块擦除。 STM32F103ZET6和GD32F403ZET6的Flash容量是512KB,所以只有255页，每页2KB。 我们可以写入到页255中，即0x0807F800-0x0807FFFF中。 由于单片机是32位，故连续写入多个uint32_t的数据时，地址应该依次增加4。

主程序

演示效果

可以看见，对于高容量，页的大小位2k，故写入addr1时候，addr的数据就被擦除了。 

标签：